ARI对外服务内容
特定制造服务：
ARI的工作人员在CMOS和MEMS（微机电）领域具有10年以上经验。我们可依据顾客特定需要来制定工艺流程。我们已成功在纳米器件，微机电，微流体力和射频电器领域研发出多项技朮和产品。
我们在下列领域为各界用户提供非营利的服务。光刻，干性刻蚀，湿性刻蚀，铸膜沉积等等。这些将大大减低闰户花在该等项目上的研究费用。
（请参阅此页提供的工艺流程）
顾问服务：
我们提供多学科专业的服务，此项服务可针对个人，也可针对团体形式进行。地点可选择在美国加州柏克莱市（Berkeley,
CA）ARI的设施。也可由客户提供场所（异地进行）。
（上述服务均为非营利性质）
合同制研究和开发：
请与我们联系，洽谈您在应用方面的困难与需求，我们乐于提供与ARI研究和开发相关的重点服务。
多项目微件制造服务：
我们可以提供共同研制产品的服务，用户的制造流程可以与ARI一起进行，微制造将在柏克莱大学(UC
Berkeley) 和史丹福大学
(Stanford University)
的纳米研究中心完成。
微制造包括下列工艺流程和服务项目：
(1) 4”
和 6”
晶园 CMOS
和 MEMS
制造流程；硅晶园
n型, p型。多种导电体；单'双面抛光SOI晶园，石英，玻璃晶园...
(2)
热氧化，扩散，沉积：
氧化硅一干，湿热氧化硅膜，低温氧化，掺杂或非掺杂，低压化学气相沉积，等离子体化学气相沉积。
氮化硅一低应力氮化硅LPCVD和PECVD。
矽晶硅一掺杂或不掺杂。
多种金属蒸发和溅射一W,
Al, Cr, Au... 扩散和铸炼, 金属电镀等
(3)
刻蚀:
DRIE
深层离子刻蚀.
RIE
活性离子刻纯,
硅,
矽晶硅,
氧化硅和氮化硅.
Plasma Etching
等离子体刻蚀.
XeF2 Etching
二氧化氙刻蚀硅.
多类湿性刻蚀.
光刻和掩膜板制造.
其它…化学机械平面化.
研习